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SPP20N60C3HKSA1的图片

SPP20N60C3HKSA1

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
原厂封装:TO-220-3
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SPP20N60C3HKSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: SPP20N60C3HKSA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
  • 系列: CoolMOS?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20.7A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 190 毫欧 @ 13.1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 114nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 208W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3
  • 供应商器件封装: PG-TO220-3-1
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  • F
    SPP20N60C3XKSA1
  • SPP20N65C3
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 169W H6327
  • RFID芯片
    SRF 55V02S MCC2
  • 微控制器
    SAF-C161JI-LF CA
  • 单路晶体管(BJT)
    BCW 67B E6327
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