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SPI35N10
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SPI35N10技术资料
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SPI35N10
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
原厂封装:
PG-TO262-3
优势价格,SPI35N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SPI35N10的技术资料下载
SPI35N10的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:SPI35N10
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):35A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 26.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):65nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1570pF @ 25V
功率 - 最大值:150W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
供应商器件封装:PG-TO262-3
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