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SGB15N120
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SGB15N120技术资料
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SGB15N120
单路IGBT
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
原厂封装：
PG-TO263-3
优势价格，SGB15N120的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
SGB15N120的技术资料下载
SGB15N120的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：SGB15N120
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
系列：-
IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
Current - Collector Pulsed (Icm)：52A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.6V @ 15V，15A
功率 - 最大值：198W
Switching Energy：1.9mJ
输入类型：标准
Gate Charge：130nC
25°C 时 Td（开/关）值：18ns/580ns
Test Condition：800V, 15A, 33 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：PG-TO263-3
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SGB15N60HS
单
SGB15N60
单
ADM6996HX-AD-T-1
控制器接口芯片
IPP80N04S4-03
单端场效应管
IPS65R1K0CEAKMA1
FET - 单
PTFA260851F V1
RF场效应管
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