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IPW65R070C6
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IPW65R070C6技术资料
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IPW65R070C6
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
原厂封装:
PG-TO247-3
优势价格,IPW65R070C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPW65R070C6的技术资料下载
IPW65R070C6的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:IPW65R070C6
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
系列:CoolMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):53.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):70 毫欧 @ 17.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3900pF @ 100V
功率 - 最大值:391W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3
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