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IPUH6N03LA G
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IPUH6N03LA G技术资料
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IPUH6N03LA G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
原厂封装:
PG-TO251-3
优势价格,IPUH6N03LA G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPUH6N03LA G的技术资料下载
IPUH6N03LA G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:IPUH6N03LA G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):19nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2390pF @ 15V
功率 - 最大值:71W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装:PG-TO251-3
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