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IPS65R1K4C6AKMA1
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IPS65R1K4C6AKMA1技术资料
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IPS65R1K4C6AKMA1
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
原厂封装：
PG-TO251-3
优势价格，IPS65R1K4C6AKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPS65R1K4C6AKMA1的技术资料下载
IPS65R1K4C6AKMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：IPS65R1K4C6AKMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
系列：CoolMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.2A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 1A， 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：225pF @ 100V
功率 - 最大值：-
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：PG-TO251-3
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