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IPP65R190C7FKSA1
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IPP65R190C7FKSA1技术资料
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IPP65R190C7FKSA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 650V 13A TO220
原厂封装：
TO-220-3
优势价格，IPP65R190C7FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPP65R190C7FKSA1的技术资料下载
IPP65R190C7FKSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPP65R190C7FKSA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 650V 13A TO220
系列: CoolMOS C7
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 13A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 190 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 290μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1150pF @ 400V
功率 - 最大值: 72W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: PG-TO220-3
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