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IPI90R1K2C3

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

原厂封装：PG-TO262-3

优势价格，IPI90R1K2C3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPI90R1K2C3的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：IPI90R1K2C3

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262

系列：CoolMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：900V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.1A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 310μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：710pF @ 100V

功率 - 最大值：83W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA

供应商器件封装：PG-TO262-3

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