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IPG20N06S2L-35
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IPG20N06S2L-35技术资料
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IPG20N06S2L-35
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
原厂封装：
PG-TDSON-8-4
优势价格，IPG20N06S2L-35的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPG20N06S2L-35的技术资料下载
IPG20N06S2L-35的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：IPG20N06S2L-35
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 25V
功率 - 最大值：65W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
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