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IPF09N03LA G的图片

IPF09N03LA G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
原厂封装:P-TO252-3
优势价格,IPF09N03LA G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPF09N03LA G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPF09N03LA G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.6 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1642pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:63W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:P-TO252-3
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  • IPF09N03LA
  • 二极管,整流器阵列
    BAT 64-05W E6327
  • 二极管,整流器阵列
    BAS 16-07L4 E6327
  • 微控制器
    SAF-XE164K-24F66L AC
  • 单二极管整流器
    BAT 64 E6327
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