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IPD80R1K4CEBTMA1的图片

IPD80R1K4CEBTMA1

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

原厂封装：TO-252-3

优势价格，IPD80R1K4CEBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPD80R1K4CEBTMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：IPD80R1K4CEBTMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

系列：CoolMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：800V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.9A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 2.3A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 240μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：23nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：570pF @ 100V

功率 - 最大值：63W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-4， DPak（3 引线 + 接片）

供应商器件封装：TO-252-3

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