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IPD60R600P6ATMA1
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IPD60R600P6ATMA1价格
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IPD60R600P6ATMA1技术资料
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IPD60R600P6ATMA1
FET - 单
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
原厂封装:
TO-252-3,DPak
优势价格,IPD60R600P6ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD60R600P6ATMA1的技术资料下载
IPD60R600P6ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPD60R600P6ATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
系列: CoolMOS P6
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.3A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 600 毫欧 @ 2.4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 200μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 557pF @ 100V
功率 - 最大值: 63W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
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