英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IPD60R1K5CEATMA1
|
IPD60R1K5CEATMA1价格
|
IPD60R1K5CEATMA1技术资料
|
IPD60R1K5CEATMA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，IPD60R1K5CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD60R1K5CEATMA1的技术资料下载
IPD60R1K5CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPD60R1K5CEATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
系列: CoolMOS CE
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.1A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.5 欧姆 @ 1.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 90μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 9.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 200pF @ 100V
功率 - 最大值: 28W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装: TO-252-3
想获取IPD60R1K5CEATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
IPD60R650CEATMA1
F
IPD60R380P6ATMA1
F
BAW 101 E6327
二极管，整流器阵列
IPI80N06S3-07
单端场效应管
PSB 21553 E V1.4-G
电信接口芯片
IPU103N08N3 G
单端场效应管
英飞凌代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
，一手货源，大小批量出货
