英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IPD50R650CEATMA1
|
IPD50R650CEATMA1价格
|
IPD50R650CEATMA1技术资料
|
IPD50R650CEATMA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，IPD50R650CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD50R650CEATMA1的技术资料下载
IPD50R650CEATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPD50R650CEATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
系列: CoolMOS CE
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 6.1A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 650 毫欧 @ 1.8A，13V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 15nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 342pF @ 100V
功率 - 最大值: 47W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
想获取IPD50R650CEATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
IPD50R650CE
单
IPD50P04P4L-11
单
SPB100N03S2-03
单端场效应管
TLE7235SE
配电开关，负载驱动器芯片
BAV 99W E6433
二极管，整流器阵列
ESD5V3U4U-HDMI E6327
二极管TVS
英飞凌代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
，一手货源，大小批量出货
