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IPD33CN10NGATMA1
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IPD33CN10NGATMA1技术资料
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IPD33CN10NGATMA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
原厂封装：
TO-252-3，DPak
优势价格，IPD33CN10NGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD33CN10NGATMA1的技术资料下载
IPD33CN10NGATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPD33CN10NGATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
系列: OptiMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 27A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 33 毫欧 @ 27A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 29μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 24nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1570pF @ 50V
功率 - 最大值: 58W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装: PG-TO252-3
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