英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
IPD30N08S2L-21
|
IPD30N08S2L-21价格
|
IPD30N08S2L-21技术资料
|
IPD30N08S2L-21
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
原厂封装：
PG-TO252-3
优势价格，IPD30N08S2L-21的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD30N08S2L-21的技术资料下载
IPD30N08S2L-21的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：IPD30N08S2L-21
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：20.5 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 80μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1650pF @ 25V
功率 - 最大值：136W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
想获取IPD30N08S2L-21的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
IPD30N06S2L23ATMA3
F
IPD30N06S223ATMA2
F
BAT 15-099R E6327
RF二极管
IPI100N06S3L-03
单端场效应管
PEF 21628 E V1.2-G
电信接口芯片
IPUH6N03LA G
单端场效应管
英飞凌代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
，一手货源，大小批量出货
