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IPD12CNE8N G
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IPD12CNE8N G技术资料
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IPD12CNE8N G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
原厂封装：
PG-TO252-3
优势价格，IPD12CNE8N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPD12CNE8N G的技术资料下载
IPD12CNE8N G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：IPD12CNE8N G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：85V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：67A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.4 毫欧 @ 67A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 83μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：64nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4340pF @ 40V
功率 - 最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
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