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IPD053N08N3GATMA1的图片

IPD053N08N3GATMA1

FET - 单

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

原厂封装：TO-252-3，DPak

优势价格，IPD053N08N3GATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPD053N08N3GATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: IPD053N08N3GATMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 90A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 5.3 毫欧 @ 90A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3.5V @ 90μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 69nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 4750pF @ 40V

功率 - 最大值: 150W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3

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