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IPB80N06S2L11ATMA2
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IPB80N06S2L11ATMA2价格
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IPB80N06S2L11ATMA2技术资料
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IPB80N06S2L11ATMA2
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
原厂封装：
TO-263-3，D2Pak
优势价格，IPB80N06S2L11ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB80N06S2L11ATMA2的技术资料下载
IPB80N06S2L11ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: IPB80N06S2L11ATMA2
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
系列: OptiMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）: 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 10.7 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 93μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 80nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2075pF @ 25V
功率 - 最大值: 158W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
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