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IPB80N06S209ATMA2的图片

IPB80N06S209ATMA2

FET - 单

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

原厂封装：TO-263-3，D2Pak

优势价格，IPB80N06S209ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPB80N06S209ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: IPB80N06S209ATMA2

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 8.8 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 125μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 80nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2360pF @ 25V

功率 - 最大值: 190W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装: PG-TO263-3-2

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