英飞凌代理商

提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货

| IPB180P04P4L02ATMA1 | IPB180P04P4L02ATMA1价格 | IPB180P04P4L02ATMA1技术资料 |

IPB180P04P4L02ATMA1的图片

IPB180P04P4L02ATMA1

FET - 单

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

原厂封装：TO-263-7，D2Pak

优势价格，IPB180P04P4L02ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

IPB180P04P4L02ATMA1的技术资料下载

电话询问价格

IPB180P04P4L02ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号: IPB180P04P4L02ATMA1

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.4 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 410μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 286nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 18700pF @ 25V

功率 - 最大值: 150W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片），TO-263CB

供应商器件封装: PG-TO263-7-3

想获取IPB180P04P4L02ATMA1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

了解更多英飞凌型号的报价及技术资料

单

IPB180N04S4-H0

单

IPB180N04S4-00

单端场效应管

IPP12CNE8N G

SAF-XC878-13FFI 5V AA

微控制器

SAF-XC878-13FFI 5V AA

RF放大器

BGA 428 H6327

单端场效应管

SPI42N03S2L-13

英飞凌代理的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格

国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的英飞凌一级代理商，一手货源，大小批量出货