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IPB100N04S2L03ATMA2

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
原厂封装:TO-263-3,D2Pak
优势价格,IPB100N04S2L03ATMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPB100N04S2L03ATMA2的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: IPB100N04S2L03ATMA2
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
  • 系列: OptiMOS?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 40V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 100A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 3 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 230nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 6000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 300W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装: PG-TO263-3-2
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