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IPB072N15N3 G
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IPB072N15N3 G技术资料
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IPB072N15N3 G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
原厂封装:
PG-TO263-2
优势价格,IPB072N15N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPB072N15N3 G的技术资料下载
IPB072N15N3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:IPB072N15N3 G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):150V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.2 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):93nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5470pF @ 75V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-2
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