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IPB042N10N3 G E8187

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

原厂封装：PG-TO263-3

优势价格，IPB042N10N3 G E8187的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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IPB042N10N3 G E8187的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：IPB042N10N3 G E8187

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：117nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8410pF @ 50V

功率 - 最大值：214W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：PG-TO263-3

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