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IPA030N10N3 G
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IPA030N10N3 G技术资料
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IPA030N10N3 G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
原厂封装:
PG-TO220-FP
优势价格,IPA030N10N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
IPA030N10N3 G的技术资料下载
IPA030N10N3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:IPA030N10N3 G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):79A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 毫欧 @ 79A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):206nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14800pF @ 50V
功率 - 最大值:41W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:PG-TO220-FP
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