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BUZ73L H的图片

BUZ73L H

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

原厂封装：PG-TO-220-3

优势价格，BUZ73L H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BUZ73L H的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BUZ73L H

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：200V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 3.5A，5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：840pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：PG-TO-220-3

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