英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
BSZ120P03NS3E G
|
BSZ120P03NS3E G价格
|
BSZ120P03NS3E G技术资料
|
BSZ120P03NS3E G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
原厂封装：
PG-TSDSON-8
优势价格，BSZ120P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSZ120P03NS3E G的技术资料下载
BSZ120P03NS3E G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSZ120P03NS3E G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 73μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3360pF @ 15V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
想获取BSZ120P03NS3E G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
BSZ123N08NS3 G
单
BSZ120P03NS3 G
单
BTS6460SF
配电开关，负载驱动器芯片
BFR 92W H6327
RF晶体管
SAF-TC1100-L150EB BB
微控制器
SAF-XC164S-32F40F BB
微控制器
英飞凌代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
，一手货源，大小批量出货
