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BSZ097N10NS5ATMA1
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BSZ097N10NS5ATMA1价格
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BSZ097N10NS5ATMA1技术资料
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BSZ097N10NS5ATMA1
FET - 单
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,BSZ097N10NS5ATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSZ097N10NS5ATMA1的技术资料下载
BSZ097N10NS5ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: BSZ097N10NS5ATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
系列: OptiMOS?
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A(Ta),40A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 9.7 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 36μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 28nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2080pF @ 50V
功率 - 最大值: 2.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL (3.3x3.3)
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