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BSZ097N10NS5ATMA1的图片

BSZ097N10NS5ATMA1

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FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
原厂封装:8-PowerTDFN
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BSZ097N10NS5ATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: BSZ097N10NS5ATMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  • 系列: OptiMOS?
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 逻辑电平门
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 8A(Ta),40A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 9.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 36μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 28nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2080pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 2.1W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: 8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL (3.3x3.3)
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