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BSZ086P03NS3E G的图片

BSZ086P03NS3E G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

原厂封装：PG-TSDSON-8

优势价格，BSZ086P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSZ086P03NS3E G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSZ086P03NS3E G

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4785pF @ 15V

功率 - 最大值：69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）

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