英飞凌代理商
提供英飞凌(Infineon)芯片、IGBT、即时报价、快速出货
首页
走进英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
BSS670S2L L6327
|
BSS670S2L L6327价格
|
BSS670S2L L6327技术资料
|
BSS670S2L L6327
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
原厂封装:
PG-SOT23-3
优势价格,BSS670S2L L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSS670S2L L6327的技术资料下载
BSS670S2L L6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:BSS670S2L L6327
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):540mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):650 毫欧 @ 270mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.26nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):75pF @ 25V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3
想获取BSS670S2L L6327的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌型号的报价及技术资料
BSS670S2L H6327
单
BSS670S2L
单
SPP100N06S2-05
单端场效应管
IPP26CN10N G
单端场效应管
SAF-XC888C-8FFI 5V AC
微控制器
BCR 22PN H6327
阵列﹐预偏压式晶体管
英飞凌代理
的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格
国内知名的从事英飞凌(Infineon)芯片及IGBT销售的
英飞凌一级代理商
,一手货源,大小批量出货