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BSS126H6327XTSA2的图片

BSS126H6327XTSA2

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
原厂封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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BSS126H6327XTSA2的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: BSS126H6327XTSA2
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
  • 系列: SIPMOS
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 耗尽模式
  • 漏源极电压(Vdss): 600V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 21mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 500 欧姆 @ 16mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.6V @ 8μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 2.1nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 28pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 500mW
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装: PG-SOT23-3
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