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BSS119E6327

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

原厂封装：PG-SOT23-3

优势价格，BSS119E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSS119E6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSS119E6327

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

系列：SIPMOS

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：170mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 50μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 25V

功率 - 最大值：360mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：PG-SOT23-3

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