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BSP296NH6433XTMA1

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
原厂封装:PG-SOT223-4
优势价格,BSP296NH6433XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSP296NH6433XTMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BSP296NH6433XTMA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):600 毫欧 @ 1.2A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):152.7pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1.8W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装:PG-SOT223-4
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  • F
    BSP298H6327XUSA1
  • BSP296NH6327XTSA1
  • RF场效应管
    PTFB211501E V1 R250
  • 场效应管阵列
    IPG20N06S3L-35
  • 单端场效应管
    IPP16CN10N G
  • 微控制器
    SAF-XC878M-16FFI 5V AC
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