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BSP135H6327XTSA1
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BSP135H6327XTSA1技术资料
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BSP135H6327XTSA1
FET - 单
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
原厂封装：
TO-261-4，TO-261AA
优势价格，BSP135H6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSP135H6327XTSA1的技术资料下载
BSP135H6327XTSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: BSP135H6327XTSA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
系列: SIPMOS
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 120mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 45 欧姆 @ 120mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 94μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 4.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 146pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-4
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