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BSO615N G
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BSO615N G技术资料
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BSO615N G
场效应管阵列
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
原厂封装:
PG-DSO-8
优势价格,BSO615N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO615N G的技术资料下载
BSO615N G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号:BSO615N G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
系列:SIPMOS
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.6A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):380pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8
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