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BSO215C的图片

BSO215C

场效应管阵列

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

原厂封装：8-SO

优势价格，BSO215C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSO215C的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSO215C

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC

系列：SIPMOS

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：100 毫欧 @ 3.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：246pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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