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BSO211P H
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BSO211P H技术资料
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BSO211P H
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
原厂封装：
PG-DSO-8
优势价格，BSO211P H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO211P H的技术资料下载
BSO211P H的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSO211P H
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：67 毫欧 @ 4.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 25μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1095pF @ 15V
功率 - 最大值：1.6W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8
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BSO215C
场
BSO211P
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BUZ30A
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IPP100N06S205AKSA2
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SAK-XC2336B-40F20L AA
微控制器
BCR 10PN H6327
阵列﹐预偏压式晶体管
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