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BSO110N03MS G的图片

BSO110N03MS G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8

原厂封装：PG-DSO-8

优势价格，BSO110N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSO110N03MS G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSO110N03MS G

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 12.1A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：20nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1500pF @ 15V

功率 - 最大值：1.56W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：PG-DSO-8

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