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BSL308C L6327的图片

BSL308C L6327

场效应管阵列

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

原厂封装：6-TSOP

优势价格，BSL308C L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSL308C L6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSL308C L6327

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

系列：OptiMOS?

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A，2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 2A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 11μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：500nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：275pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：6-TSOP

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场

BSL308PE L6327

场

BSL306N L6327

单端场效应管

BSC050NE2LS

霍尔效应磁性传感器IC

TLE4927C-E6947

SAF-XC886LM-6FFA 5V AC

微控制器

SAF-XC886LM-6FFA 5V AC

RF晶体管

BGR 420 H6327

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