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BSD223P H6327
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BSD223P H6327技术资料
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BSD223P H6327
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
原厂封装：
PG-SOT363-6
优势价格，BSD223P H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSD223P H6327的技术资料下载
BSD223P H6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSD223P H6327
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：390mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.5μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.62nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：56pF @ 15V
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6
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BSD223P
场
BSD223P L6327
场
TLE4953C
霍尔效应磁性传感器IC
SAF-XE167GM-72F80L AA
微控制器
BSS670S2L H6327
单端场效应管
BSZ0902NS
单端场效应管
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