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BSD223P的图片

BSD223P

场效应管阵列

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363

原厂封装：PG-SOT363-6

优势价格，BSD223P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSD223P的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSD223P

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363

系列：OptiMOS?

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：390mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.2 欧姆 @ 390mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1.5μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.62nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：56pF @ 15V

功率 - 最大值：250mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363

供应商器件封装：PG-SOT363-6

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场

BSD223P H6327

场

BSD223P L6327

单路晶体管(BJT)

BDP 950 E6327

单端场效应管

IPI037N06L3 G

BAR 67-02V E6327

RF二极管

BAR 67-02V E6327

单端场效应管

IPD050N03L G

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