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BSC123N08NS3 G
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BSC123N08NS3 G技术资料
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BSC123N08NS3 G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
原厂封装：
PG-TDSON-8
优势价格，BSC123N08NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC123N08NS3 G的技术资料下载
BSC123N08NS3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSC123N08NS3 G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：80V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），55A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：12.3 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 33μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1870pF @ 40V
功率 - 最大值：66W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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