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BSB028N06NN3 G的图片

BSB028N06NN3 G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(Infineon)

功能简述：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

原厂封装：MG-WDSON-2

优势价格，BSB028N06NN3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSB028N06NN3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供

英飞凌原厂型号：BSB028N06NN3 G

制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：22A（Ta），90A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.8 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 102μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：143nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：12000pF @ 30V

功率 - 最大值：78W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-WDSON

供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M

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