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BSB013NE2LXI
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BSB013NE2LXI
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
原厂封装：
MG-WDSON-2
优势价格，BSB013NE2LXI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSB013NE2LXI的技术资料下载
BSB013NE2LXI的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSB013NE2LXI
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：36A（Ta），163A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4400pF @ 12V
功率 - 最大值：2.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M
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